[发明专利]一种电可擦除只读存储器以及制作方法有效
| 申请号： | 201110274002.6 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN103000526A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 叶文正;翟彪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/788;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电可擦除只读存储器以及制作方法，用以提高电可擦除只读存储器的性能。该制作方法包括：在嵌入了源极和漏极的基板上覆盖第一悬浮栅氧化层；通过构图工艺在所述第一悬浮栅氧化层上形成悬浮栅极，其中，所述悬浮栅极的顶层覆盖有保护层；在覆盖有保护层的所述悬浮栅极的侧壁生长第二悬浮栅氧化层；除去所述悬浮栅极顶层覆盖的保护层，并在所述悬浮栅极的顶层生长第三悬浮栅氧化层；在所述第三悬浮栅氧化层上形成控制栅极，完成电可擦除只读存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦除 只读存储器 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作电可擦除只读存储器的方法，其特征在于，包括：在嵌入了源极和漏极的基板上覆盖第一悬浮栅氧化层；通过构图工艺在所述第一悬浮栅氧化层上形成悬浮栅极，其中，所述悬浮栅极的顶层覆盖有保护层；在覆盖有保护层的所述悬浮栅极的侧壁生长第二悬浮栅氧化层；除去所述悬浮栅极顶层覆盖的保护层，并在所述悬浮栅极的顶层生长第三悬浮栅氧化层；在所述第三悬浮栅氧化层上形成控制栅极，完成电可擦除只读存储器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110274002.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
