[发明专利]可提高工艺效率的薄膜制作方法无效
申请号: | 201110274108.6 | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102320561A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 张艳红;张挺 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种可提高工艺效率的薄膜制造方法,包括步骤:提供{111}方向的硅基底,其上形成有阻挡层;刻蚀阻挡层和硅基底,在硅基底中形成多个浅槽,浅槽具有第一深度;在多个浅槽的侧壁形成侧壁保护层;进一步刻蚀多个浅槽,在硅基底中形成多个深槽,深槽相比浅槽加深第二深度;采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽,在硅基底内部形成腔体;采用填充材料将多个浅槽完全填充,形成封闭的腔体和位于腔体之上的薄膜;其中,薄膜上深槽的窗口具有多列,其排列方式包括平行排列、交叉排列和/或波浪排列。本发明通过一系列推导和计算,得到不同形状薄膜所对应的最优化钻蚀窗口的图形排列,进而方便地获得厚度和形状精确可控的薄膜,提高工艺效率,降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 提高 工艺 效率 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】:
一种可提高工艺效率的薄膜制造方法,包括步骤:提供{111}方向的硅基底(101),其上形成有阻挡层(102);刻蚀所述阻挡层(102)和所述硅基底(101),在所述硅基底(101)中形成多个浅槽(103),所述浅槽(103)具有第一深度(h1);在多个所述浅槽(103)的侧壁形成侧壁保护层(104);进一步刻蚀多个所述浅槽(103),在所述硅基底(101)中形成多个深槽(105),所述深槽(105)相比所述浅槽(103)加深第二深度(h2);采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(105),在所述硅基底(101)内部形成腔体(106);采用填充材料(107)将多个所述浅槽(103)完全填充,形成封闭的腔体(106)和位于所述腔体(106)之上的薄膜;其中,所述薄膜上深槽(105)的窗口具有多列,其排列方式包括平行排列、交叉排列和/或波浪排列。
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