[发明专利]一种磁场选择性制备单壁碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 201110274208.9 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351171A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;苏言杰;程应武;魏浩;张竞 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 叶敏华 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁场选择性制备单壁碳纳米管的方法，将催化剂、硫粉、高纯石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒，将制得的阳极石墨棒放在冲有缓冲气体的电弧室内与阴极正对，通过调整放电电压和放电电流，使电弧室的阴、阳两极发生电弧放电，同时调整磁铁高度使之始终与阴阳电极间隙平齐，调节磁场强度即可制得直径选择性的单壁碳纳米管。与现有技术相比，本发明采用磁场辅助的直流电弧法制备单壁碳纳米管，工艺简单、所得产物中SWNT具有高度有序性，SWNT直径在空间的分布上具有选择性，产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 选择性 制备 单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种磁场选择性制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，该方法是将催化剂、硫粉、高纯石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒，将制得的阳极石墨棒放在冲有缓冲气体的电弧室内与阴极正对，通过调整放电电压和放电电流，使电弧室的阴、阳两极发生电弧放电，同时调整磁铁高度使之始终与阴阳电极间隙平齐，调节磁场强度即可制得直径选择性的单壁碳纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110274208.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能单晶硅埚底料的处理方法
- 下一篇：一种带有涂层的垃圾箱
