[发明专利]一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201110274959.0 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103001119A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 苏建;夏伟;张秋霞;任忠祥;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/042 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法。该SiC衬底倒装激光器芯片制作包括一常规激光器芯片结构，从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；包括一SiC衬底，衬底的底面镀有金属欧姆接触层，另一面镀有金属键合层；常规激光器芯片的金属欧姆接触层通过SiC衬底的金属键合层与SiC衬底键合在一起；常规激光器芯片去除原衬底后的缓冲层蒸镀有N电极金属层，制成的SiC衬底激光器N极在上、P极在下。与传统激光器相比，本发明的基于SiC衬底的倒装激光器芯片具有散热性好、稳定性好、寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic 衬底 倒装 激光器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片，包括：a、常规激光器芯片，芯片结构从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；b、一SiC衬底，该SiC衬底底面镀有金属欧姆接触层，另一面镀有金属键合层；所述常规激光器芯片的金属欧姆接触层通过所述SiC衬底上的金属键合层键合在一起；去除衬底后的常规激光器芯片缓冲层面蒸镀有电极金属层。
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