[发明专利]氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法以及包括其的LED显示装置有效
| 申请号： | 201110275496.X | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102427103A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 余小明;梁智勇;苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;C23C16/34;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;余刚 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片及其生产方法以及包括其的LED显示装置，该LED外延片包括顺序生长的第一垒层、低掺杂In的高温量子阱层，以及高掺杂In的低温量子阱层，低掺杂In的高温量子阱层中包括高温阱层和高温垒层；高掺杂In的低温量子阱层包括预覆盖层、低温阱层以及低温垒层，预覆盖层包括预覆盖阱层和预覆盖垒层。该LED外延片通过形成预覆盖层，可诱导随后在预覆盖层上生长的量子阱更加容易形成量子点，所以阱里面量子点的数量增加，量子阱局域化程度更强，对电子束缚能力更强，增加了电子和空穴的复合概率，增加了外延片的内部量子效应，减少了大电流下发生DROOP效应。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 led 外延 及其 生长 方法 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基III‑V族化合物半导体LED外延片，包括顺序生长的第一垒层(4)、低掺杂In的高温量子阱层(5)，以及高掺杂In的低温量子阱层(6)，所述高温量子阱层(5)中包括一组或多组按顺序循环生长的高温阱层和高温垒层；所述低温量子阱层(6)包括一组或多组按顺序循环生长的预覆盖层(61)、低温阱层(62)以及低温垒层(63)，其特征在于，所述预覆盖层(61)包括一组或多组按顺序循环生长的掺杂In的预覆盖阱层(611)和不掺杂In的预覆盖垒层(613)。
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