[发明专利]一种发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110275878.2 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102332515A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 高成 | 申请（专利权）人： | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;姜精斌 |
| 地址： | 215600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层，多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率，并可无需在LED中设置现有技术中的电流扩展层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在所述第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层，所述多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。
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