[发明专利]锗基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110276107.5 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102320550A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 师文生;王晓天;佘广为;穆丽璇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有良好生物兼容性的锗基半导体的拉曼散射增强基底和制备方法，以及用这种基底进行溶液中罗丹明6G分子的检测。本发明用化学刻蚀的方法，在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，并除去在刻蚀过程中作为副产物生成在硅纳米线阵列顶端的絮状银枝杈；然后用热蒸发的方法在硅纳米线阵列上制备锗纳米管阵列；最后在锗纳米管表面修饰上大量的Ge-H键。所述的基底中不含有贵金属银；所述的锗纳米管表面修饰有大量的Ge-H键。本发明首次成功地实现了不使用任何贵金属而仅用半导体锗材料制备出了具有良好生物兼容性的锗基半导体的拉曼散射增强基底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 散射 增强 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种锗基半导体的拉曼散射增强基底，其特征是：所述的基底是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的表面修饰有Ge‑H键的锗纳米管阵列构成；所述的基底中不含有贵金属银。
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