[发明专利]耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件有效
| 申请号： | 201110276131.9 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102419460A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 熊兵;朱军浩;赵湘楠;孙长征;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 波导 制作方法 应用 半导体 光电子 器件 | ||
【主权项】：
一种耦合波导，包括从下往上依次分布的衬底(1)、下波导包层(2)、第一波导芯层(3)、隔离层(4)、第二波导芯层(5)和上波导包层(6)，其特征在于，所述第一波导芯层(3)为有源波导层，所述第二波导芯层(5)为耦合导引波导层，所述第二波导芯层(5)具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段，所述上波导包层(6)覆盖于所述第二波导芯层(5)的上方和侧面。
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