[发明专利]低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 201110276298.5 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102424378A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李德军;赵梦鲤;刘孟寅;董磊;岳玉琛 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;A61L27/02;A61L33/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管，它是由在预先喷涂的多壁碳纳米管基片上轰击低能氮离子束组成；其中轰击氮离子的束流为5-25mA，本底真空1.9×10-4-2.0×10-4Pa；轰击能量为200eV；所述低能氮离子的原子百分数为7.8%-9.3%。本发明进一步公开了低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管在提高多壁碳纳米管材料亲水性方面的应用，以及作为具有细胞相容性的组织支架材料以及与血液相接触的材料方面的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 低能 离子束 轰击 多壁碳 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
低能氮离子束轰击的有多壁碳纳米管，其特征在于它是由在预先喷涂的多壁碳纳米管基片上轰击低能氮离子束组成；其中轰击氮离子的束流为5‑25 mA，本底真空1.9×10‑4‑2.0×10‑4 Pa；轰击能量为200 eV；所述低能氮离子的原子百分数为7.8%‑9.3%。
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