[发明专利]具有硅化镍接触区的半导体结构及形成方法有效
申请号: | 201110276571.4 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN103000528A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 禹国宾 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种具有硅化镍接触区的半导体结构及形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底表面形成栅极结构,在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成离子掺杂区;在所述离子掺杂区内形成凹槽,所述凹槽伸入到栅极结构下方;在所述凹槽内形成二硅化镍材料层,利用干法刻蚀除去未被栅极结构遮挡的二硅化镍材料层,形成位于所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面的二硅化镍层;在所述凹槽内形成外延层,利用所述外延层形成硅化镍接触区。由于所述形成的二硅化镍层位于硅化镍接触区靠近栅极结构一侧的侧壁表面,阻挡了后续形成的倒棱锥体的硅化镍或二硅化镍钉入到MOS晶体管栅极结构下方的沟道区内,避免发生源/漏区击穿或短路。 | ||
搜索关键词: | 具有 硅化镍 接触 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种具有硅化镍接触区的半导体结构形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底表面形成栅极结构,在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成离子掺杂区;在所述离子掺杂区内形成凹槽,所述凹槽伸入到栅极结构下方;在所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面形成二硅化镍层;在所述凹槽内形成外延层,利用所述外延层形成硅化镍接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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