[发明专利]用于P型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法有效
| 申请号： | 201110276667.0 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102324455B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | M·拉费托;J·巴拉坦;K·哈贝雷恩;M·伯格曼;D·埃默森;J·伊贝特森;T·李 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高为;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种半导体基发光装置(LED)，可包含p型氮化物层和该p型氮化物层上的金属欧姆接触。该金属欧姆接触平均厚度约小于 |
||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 发光 装置 超薄 欧姆 接触 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基发光装置，包括：n型半导体衬底；所述衬底上的n型GaN外延层；所述n型GaN外延层上的p型GaN外延层；所述p型GaN外延层上的金属欧姆接触，所述金属欧姆接触具有小于10Å的平均厚度和小于10‑3ohm‑cm2的比接触电阻率；以及所述金属欧姆接触上的焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110276667.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
