[发明专利]一种基于矩形波导双层多路功率合成放大器无效

专利信息
申请号: 201110277790.4 申请日: 2011-09-19
公开(公告)号: CN102386471A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 骆新江 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01P5/12 分类号: H01P5/12;H03F3/60
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于矩形波导双层多路功率合成放大器。本发明包括功分器、合成器和放大器芯片阵列,放大器芯片阵列夹在功分器与合成器之间,放大器芯片阵列包括一金属条和一组固定在金属条上的固态功率放大器芯片。功分器和合成器的结构相同,均包括两个长方体金属块,上金属块的底面开有底面矩形波导槽,下金属块的顶面开有顶面矩形波导槽,底面矩形波导槽和顶面矩形波导槽合成矩形波导腔,同轴线的一端伸入支路波导腔内。每个固态功率放大器芯片的输入端通过微带线与功分器对应的同轴线的另一端连接,输出端与合成器对应的同轴线的另一端连接。本发明具有合成效率高、功率容量大、工作带宽宽、散热性能好等优点。
搜索关键词: 一种 基于 矩形波导 双层 功率 合成 放大器
【主权项】:
一种基于矩形波导双层多路功率合成放大器,包括功分器、合成器和放大器芯片阵列,两个放大器芯片阵列平行夹在功分器与合成器之间,其特征在于:所述的放大器芯片阵列包括一金属条和一组固定在金属条上的固态功率放大器芯片,且各固态功率放大器芯片沿金属条的中心线排列;功分器和合成器的结构相同,具体是: 包括形状和大小相同的两个长方体金属块,分别为上金属块和下金属块,上金属块的底面开有底面矩形波导槽,底面矩形波导槽的宽度为工作波长对应的标准矩形波导的宽度、深度为工作波长对应的标准矩形波导的长度的一半;所述的底面矩形波导槽包括主路波导槽、分路波导槽和支路波导槽,主路波导槽与金属条垂直,主路波导槽的一端开口于上金属块一个侧壁和底面交汇处的中间位置;主路波导槽的另一端与两条形状相同的分路波导槽的一端连通,分路波导槽为L形,与主路波导槽连接部分的分路波导槽垂直于主路波导槽;每条分路波导槽的另一端与对应的各支路波导槽的中心连通,与支路波导槽连接部分的分路波导槽垂直于支路波导槽;对应每条支路波导槽的两个端面位置插入同轴线,同轴线的一端伸入支路波导槽内,且同轴线的轴线与相邻支路波导槽端面的距离为工作波长的四分之一;下金属块的顶面开有与底面矩形波导槽位置和形状相同的顶面矩形波导槽,且按照上金属块所述方法设置有同轴线,上金属块和下金属块固定连接后,底面矩形波导槽和顶面矩形波导槽合成矩形波导腔;功分器、放大器芯片阵列和合成器固定连接,每个固态功率放大器芯片的输入端通过微带线与功分器上对应的同轴线的另一端连接,每个固态功率放大器芯片的输出端与合成器上对应的同轴线的另一端连接。
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