[发明专利]一种制备多晶硅太阳电池绒面的方法及其装置无效
申请号: | 201110277861.0 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN102324447A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 张华;花国然;居志兰;王强 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/36;C25F3/12 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 吴静安 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备多晶硅太阳电池绒面的方法及其装置,其方法是用激光和电化学同时对多晶硅片进行复合加工,在多晶硅片加工表面形成阵列光陷阱结构,同时电解液对多晶硅片表面产生电化学腐蚀,光整加工表面。实现上述方法的装置包括激光器5和电解机构15、电源1和工作台11;电解机构15主要由电解槽底座13、电解槽盖板4、阴极8、阳极12、工件安装夹具14、密封圈10和光学防护镜7组成,多晶硅片置于电解槽中,且将电解槽分为二室,从而使得多晶硅片成为电解时的唯一电流通道。本发明提供了一种多晶硅太阳电池的高效绒面新加工方法,其产品具有高重复性、良好高宽比性能,可获优于纯化学腐蚀制备绒面的减反射效果,对提高光电转换效率有重要作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 多晶 太阳电池 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种制备多晶硅太阳电池绒面的方法,其特征在于,将多晶硅片置于电解槽中,且使多晶硅片为电解时的唯一电流通道,用聚焦激光束对多晶硅片表面进行扫描,同时进行电解,激光束的扫描使多晶硅片表面形成阵列光陷阱结构,电解液对多晶硅片表面产生电化学腐蚀,光整加工表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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