[发明专利]一种单晶硅片降低电阻值的处理方法无效
| 申请号： | 201110277996.7 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102304764A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 汪军;曾世铭;张景林;陈果;涂承亮 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 332000 江西省九江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种单晶硅片降低电阻值的处理方法，包括步骤如下选料，选择厚度为200±20μm，中心电阻率3-6Ω.cm，棱线边缘电阻率1-3Ω.cm，采用直拉式单晶炉制备的P型太阳能级单晶硅片；装料，硅片承载架底层放置2片平整的单晶硅片，然后放置10-50片待处理单晶硅片，在其上面放置2片平整的单晶硅片，然后用抓钳推进电阻炉内平放；热处理，热处理温度设置为500-600℃，加热退火时间为15-20min；空气冷却，电阻率超标的单晶硅片，在500-600℃温度场中，放置15-20min后，用抓钳取出放置在室温自然环境中空气冷却；测试比较，单晶硅片冷却至室温，表面洁净后用hennecke硅片分选机进行测试，电阻率回到0.5-3Ω·cm时，证明退火成功。可有效降低硅片的电阻率，具有工艺简单、效果好的特点，且节能、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 降低 阻值 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片降低电阻值的处理方法，其特征在于，包括步骤如下：1）选料，选择厚度为200±20μm，中心电阻率3‑6Ω.cm，棱线边缘电阻率1‑3Ω.cm，采用拉制式单晶炉制备的P型太阳能级单晶硅片；2）装料，硅片承载架底层放置2片平整的单晶硅片，然后放置10‑50片待处理单晶硅片，在其上面放置2片平整的单晶硅片，然后用抓钳推进电阻炉内平放；3）热处理，热处理温度设置为500‑600℃，加热退火时间为15‑20min；4）空气冷却，电阻率超标的单晶硅片，在500‑600℃温度场中，放置15‑20min后，用抓钳取出放置在室温自然环境中空气冷却；5）测试比较，单晶硅片冷却至室温，表面洁净后用hennecke硅片分选机进行测试，电阻率回到0.5‑3Ω·cm时，证明退火成功。
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