[发明专利]磁通屏障无效
| 申请号： | 201110278069.7 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102402988A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | E·梅洛切;陆斌;贾立欣;薛建华;J·D·韦斯特伍德;M·A·古宾斯;A·卡扎库 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/115 | 分类号： | G11B5/115 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 浦易文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种数据存储系统，该数据存储系统具有可减小消除磁通并增强写能力的屏障。该数据存储系统包括写入元件。该写入元件具有带有扩口区域的写入极。磁通屏障沿着该写入极的扩口区域定位。该磁通屏障说明性地由具有简易磁性平面的面内磁性各向异性的材料所制成。在另一实施例中，数据存储系统包括写入元件，该写入元件具有气垫表面和位于该气垫表面处的屏蔽件。该屏蔽件具有大约是零的磁导率。该屏蔽件说明性地包括交替的正磁导率的层和负磁导率的层。屏蔽件可选地包括多个屏蔽件，多个屏蔽件可包括顶部屏蔽件、底部屏蔽件以及侧部屏蔽件。 | ||
| 搜索关键词： | 屏障 | ||
【主权项】：
一种数据存储系统的写入元件，包括：写入极，所述写入极具有扩口区域；以及磁通屏障，所述磁通屏障沿着所述写入极的扩口区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司，未经希捷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110278069.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
