[发明专利]半导体器件及形成用于在Fo-WLCSP中安装半导体小片的引线上键合互连的方法有效
| 申请号： | 201110278186.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102403239A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | R·A·帕盖拉;R·D·彭德斯;具俊谟 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;王忠忠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 半导体器件及形成用于在Fo-WLCSP中安装半导体小片的引线上键合互连的方法。一种半导体小片，具有形成在载体上的包括多个迹线的导电层。导电层包括与迹线在电连续的多个触点焊盘。半导体小片具有多个触点焊盘和形成在触点焊盘上的凸块。多个导电柱可以形成在半导体小片的触点焊盘上方。凸块可以形成在导电柱上。半导体小片以凸块直接键合到迹线的端部的方式安装至导电层，以提供细小间距的互连。密封剂沉积在半导体小片和导电层上。导电层包含可湿性材料，以减少封装期间的小片移动。载体被去除。互连结构形成在密封剂和半导体小片上方。绝缘层可以形成在导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 用于 fo wlcsp 安装 半导体 小片 引线 上键合 互连 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供载体；在所述载体上形成包括多个迹线的导电层；提供具有多个触点焊盘和形成在所述触点焊盘上的第一凸块的半导体小片；将所述半导体小片以将所述第一凸块直接键合到所述迹线的端部的方式安装到所述导电层；在所述半导体小片和导电层上沉积密封剂；去除所述载体；以及在所述密封剂和半导体小片上形成互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
