[发明专利]利用两根半导体纳米线耦合的单纵模激光器及制备方法无效
| 申请号： | 201110278894.7 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102412503A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 童利民;肖尧;伍晓芹;孟超 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;C23C16/22 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用两根半导体纳米线耦合的单纵模激光器及制备方法，通过对多根半导体纳米线进行微纳操作，形成X形的多个耦合腔结构；在结构内形成多个法布里珀罗谐振腔，通过复合腔体的游标效应实现模式选择，实现单纵模半导体纳米线激光器。本发明具有小型化、低功耗、结构简单、性能稳定、易于调节、制备简便、易于集成等特点。目前已获得波长734.3nm，半高宽0.11nm的单模激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 半导体 纳米 耦合 单纵模 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用两根半导体纳米线耦合的单纵模激光器，其特征在于，它由长纳米线和短纳米线组成，短纳米线在靠近长纳米线第二端点（2）处与长纳米线部分紧贴，形成X形结构的单纵模激光器；短纳米线第一端点（3）和长纳米线第二端点（2）之间以及短纳米线第一端点（3）和短纳米线第二端点（4）之间均形成FP（Fabry‑Perot，法布里‑珀罗）腔，且两个FP腔腔长匹配。
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