[发明专利]离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置有效
| 申请号： | 201110279403.0 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103018313A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 高晓光;贾建;李建平;何秀丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N1/24;G01N1/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置，涉及离子迁移率谱仪技术，该装置包括采样部分、半透膜进样部分和解吸部分，其中半透膜进样部分包括半透膜、半透膜温控装置；在离子迁移率谱仪半透膜富集进样过程中，采样时半透膜处于室温，而解吸时利用半透膜温控装置将半透膜加热至80℃～300℃。由于采样过程中半透膜处于室温，有利于被测物在半透膜中的富集；而解吸过程中半透膜加热至80℃～300℃，有利于其中富集的被测物在热解吸的同时更有效地透过半透膜进入离子迁移率谱仪漂移管。采用本发明装置及方法有效地降低离子迁移率谱仪的检测下限。 | ||
| 搜索关键词： | 离子迁移率 谱仪半透膜预 富集 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法，其特征在于：包括步骤：a)在采样过程中，半透膜(21)处于室温；b)而在解吸过程中，用半透膜温控装置(22)或半透膜(21)自加热功能，将半透膜(21)加热至80℃～300℃。
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