[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110279619.7 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102544057A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李俊雨;崔埈厚 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的一方面提供了有机发光显示装置，其包括：薄膜晶体管，具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接于所述活性层；像素电极，形成于与所述栅电极相同的层；发光层，形成于所述像素电极上；钝化层，形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部，所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层；有机绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，具有露出所述像素电极上部的开口，形成为直接与所述钝化层接触；以及相对电极，形成于所述发光层上，与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机发光显示装置，包括：薄膜晶体管，具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接于所述活性层；像素电极，形成于与所述栅电极相同的层；发光层，形成于所述像素电极上；钝化层，形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部，所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层；有机绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，具有露出所述像素电极上部的开口，形成为直接与所述钝化层接触；以及相对电极，形成于所述发光层上，与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
