[发明专利]背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法有效
申请号: | 201110280067.1 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN102891151A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | V·奥加涅相 | 申请(专利权)人: | 奥普蒂兹公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 俞华梁;王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的名称为背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法。图像传感器封装包括图像传感器芯片和晶体处理体。图像传感器芯片包括衬底以及在衬底的正面的多个光检测器和接触片。晶体处理体包括相对的第一和第二表面以及形成到第一表面中的腔体。柔顺介电材料布置在腔体中。图像传感器正面附连到晶体衬底处理体第二表面。多个电互连各包括:与接触片之一对齐的孔,其中,第一部分从第二表面延伸到腔体,而第二部分贯穿柔顺介电材料;绝缘材料层,沿孔的第一部分的侧壁形成;以及导电材料,贯穿孔的第一和第二部分,并且电耦合到一个接触片。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 应力 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器封装,包括:图像传感器芯片,包括:具有相对的正面和背面的衬底,在所述正面所形成的多个光检测器,以及在与所述光检测器电耦合的所述正面所形成的多个接触片;晶体处理体,具有相对的第一和第二表面以及形成到所述第一表面中的腔体,其中柔顺介电材料布置在所述腔体中,并且图像传感器芯片衬底正面附连到晶体衬底处理体第二表面;所述晶体处理体包括多个电互连,各包括:与所述接触片之一对齐的孔,其中第一部分从所述第二表面延伸到所述腔体,而第二部分贯穿所述柔顺介电材料,沿所述孔的第一部分的侧壁所形成的绝缘材料层,以及贯穿所述孔的所述第一和第二部分的导电材料,其中所述导电材料电耦合到一个接触片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥普蒂兹公司,未经奥普蒂兹公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110280067.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生产密封环的方法及设备
- 下一篇:可携式电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的