[发明专利]具有双接面的光伏打装置无效

专利信息
申请号: 201110280323.7 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102306677A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 黄明政;林汉塗 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0352
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种光伏打装置,包含基板、第一、第二与第三掺杂区。基板具有第一掺杂型式。基板的第一掺杂区具有第二掺杂型式。第二掺杂区在部份第一掺杂区中,并暴露出第一掺杂区的其它部份。第三掺杂区在第一掺杂区的暴露出部份中。第二掺杂型式与第一掺杂型式的极性实质上相反。第二掺杂区与第一掺杂型式的极性实质上相同,第二掺杂区的掺杂浓度实质上大于基板的掺杂浓度。第三掺杂区与第二掺杂型式的极性实质上相同,第三掺杂区的掺杂浓度实质上大于第一掺杂区的掺杂浓度。第一掺杂型式为N型与P型中的一者,第二掺杂型式为P型与N型中的另一者。
搜索关键词: 具有 双接面 光伏打 装置
【主权项】:
一种光伏打装置,其特征在于,包含:一基板,具有一第一表面以及一相对的第二表面,其中该基板具有一第一掺杂型式;一第一掺杂区,位于该基板的该第一表面,其中该第一掺杂区具有一第二掺杂型式,且该第二掺杂型式的极性与该第一掺杂型式的极性相反;一第二掺杂区,位于该第一掺杂区的一部份中,并暴露出该第一掺杂区的其它部份,其中该第二掺杂区的极性与该第一掺杂型式的极性相同;一第三掺杂区,位于被暴露出该第一掺杂区的该其它部份中,其中该第三掺杂区的极性与该第二掺杂型式的极性相同,且该第三掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度;以及一第一电极,位于该第三掺杂区上。
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