[发明专利]具有双接面的光伏打装置无效
申请号: | 201110280323.7 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102306677A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 黄明政;林汉塗 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种光伏打装置,包含基板、第一、第二与第三掺杂区。基板具有第一掺杂型式。基板的第一掺杂区具有第二掺杂型式。第二掺杂区在部份第一掺杂区中,并暴露出第一掺杂区的其它部份。第三掺杂区在第一掺杂区的暴露出部份中。第二掺杂型式与第一掺杂型式的极性实质上相反。第二掺杂区与第一掺杂型式的极性实质上相同,第二掺杂区的掺杂浓度实质上大于基板的掺杂浓度。第三掺杂区与第二掺杂型式的极性实质上相同,第三掺杂区的掺杂浓度实质上大于第一掺杂区的掺杂浓度。第一掺杂型式为N型与P型中的一者,第二掺杂型式为P型与N型中的另一者。 | ||
搜索关键词: | 具有 双接面 光伏打 装置 | ||
【主权项】:
一种光伏打装置,其特征在于,包含:一基板,具有一第一表面以及一相对的第二表面,其中该基板具有一第一掺杂型式;一第一掺杂区,位于该基板的该第一表面,其中该第一掺杂区具有一第二掺杂型式,且该第二掺杂型式的极性与该第一掺杂型式的极性相反;一第二掺杂区,位于该第一掺杂区的一部份中,并暴露出该第一掺杂区的其它部份,其中该第二掺杂区的极性与该第一掺杂型式的极性相同;一第三掺杂区,位于被暴露出该第一掺杂区的该其它部份中,其中该第三掺杂区的极性与该第二掺杂型式的极性相同,且该第三掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度;以及一第一电极,位于该第三掺杂区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的