[发明专利]VDMOS晶体管结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110280377.3 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102290437A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种VDMOS晶体管结构及其形成方法，所述VDMOS晶体管结构包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；栅介质层，位于所述埋层上方的外延层上；栅电极，位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的沟道区，位于所述栅介质层两侧的外延层中；源区，位于所述栅介质层两侧的沟道区中；第一掺杂类型的连通结构，贯穿所述外延层并与所述埋层接触；其中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。本发明能够与标准BCD工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；栅介质层，位于所述埋层上方的外延层上；栅电极，位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的沟道区，位于所述栅介质层两侧的外延层中；源区，位于所述栅介质层两侧的沟道区中；第一掺杂类型的连通结构，贯穿所述外延层并与所述埋层接触；其中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110280377.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改进的纸绝缘自粘漆包组合导线
- 下一篇：智慧校园系统
- 同类专利
- 专利分类
