[发明专利]一种采用应力记忆技术的NMOS器件制作方法

摘要

本发明公开了一种采用应力记忆技术SMT的NMOS器件制作方法，在沉积了阻挡层之后，在沉积第一氮化硅层之前，先经过离子注入氮，再通过RTP退火工艺，这样可以提高阻挡层的均匀度和致密度，就可以形成较致密的阻挡层，增加制作第一氮化硅层过程中所产生的氢扩散阻挡能力，从而在后续沉积第一氮化硅层以及尖峰和激光退火步骤中抑制源/漏极所注入硼离子的扩散到栅极介质层，之后第一氮化硅层和阻挡层会被湿法或干法刻蚀去掉。这样，就不会影响NMOS器件在使用过程中的栅极电介质层的表面以及内部俘获电荷的分布，从而提高所制作的半导体器件性能。

主权项

一种采用应力记忆技术的NMOS器件制作方法，应用在具有硅衬底和NMOS器件的晶片上，其特征在于，该方法包括：在所述晶片器件面沉积阻挡层；对阻挡层进行氮原子离子注入后，快速热处理；在阻挡层沉积第一氮化硅SIN层后，进行尖峰退火和激光退火；去除第一氮化硅层和阻挡层。