[发明专利]表面等离子共振测量用微芯片及表面等离子共振测量装置有效
申请号: | 201110280962.3 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN102466624A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 三浦真毅;铃木信二;森田金市 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种表面等离子共振测量用微芯片,即使构成微芯片的基板的厚度存在偏差时,也不会在观测结果中发生误差,并能够高效且以短时间测量。在将形成有槽部的第1微芯片基板(11)、与成膜有金属薄膜(13)的第2微芯片基板(12)接合的微芯片(10)中,在两侧的侧面上形成突出部(16),将其一个面作为与第1、第2微芯片基板的接合面(LL)相同的平面。SPR传感器装置具有测量基准面(L)设定在下表面侧的试料固定部(24),将微芯片的突出部分推压在该测量基准面上而保持、固定微芯片。因此,接合面不受第2微芯片基板的厚度的偏差影响而与测量基准面一致,由金属薄膜的背面反射的反射光在CCD受光面上的到达位置也没有偏差。 | ||
搜索关键词: | 表面 等离子 共振 测量 芯片 装置 | ||
【主权项】:
一种表面等离子共振测量用微芯片,其特征在于,由在一个面上形成有槽部的第1微芯片基板、和在表面上成膜有金属薄膜的第2微芯片基板构成,第1微芯片基板的形成有槽部的面与第2微芯片基板的成膜有金属薄膜的一侧的面接合,在由第1微芯片基板的槽部和第2微芯片基板表面形成的流路内内包着上述金属薄膜;该表面等离子共振测量用微芯片,在从上述第2微芯片基板的与形成有上述金属薄膜的面相反侧的面对上述金属薄膜照射光、而对上述金属薄膜上的试料进行表面等离子共振测量时使用;在上述微芯片中,在设有上述流路的面的两侧的侧面上形成有突出部,该突出部的一个面是与上述第1微芯片基板和第2微芯片基板的接合面(LL)相同的平面。
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