[发明专利]高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法

摘要

本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。

主权项

一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在所述透明电极层上旋涂第一光刻胶层，经过曝光、显影和刻蚀，对所述透明电极层作图形化，在所述半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；去除所述第一光刻胶层；在所述半绝缘衬底和所述透明电极上旋涂第二光刻胶层，经过曝光和显影，对所述第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；在所述金属电极的区域形成所述金属电极，所述金属电极与所述透明电极分别相接触而与所述半绝缘衬底隔开；去除所述第二光刻胶层，形成所述光电导开关。