[发明专利]高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110281114.4 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103022220A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 黄维;常少辉;刘学超;王乐星;庄击勇;陈辉;施尔畏 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/08;H01L31/0224;H01L31/0216
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法,包括步骤:提供半绝缘衬底,在其上形成透明电极层;在透明电极层上旋涂光刻胶层,对透明电极层作图形化,在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极;在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层,对第二光刻胶层作图形化,露出需要形成金属电极的区域;形成金属电极,其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开;去除第二光刻胶层。相应地,本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下,增加了开关的电流密度容量,减小了场强集中,从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时,还具有较低的导通电阻。
搜索关键词: 耐压 通电 电导 开关 及其 制造 方法
【主权项】:
一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法,包括步骤:提供半绝缘衬底,在其上形成透明电极层;在所述透明电极层上旋涂第一光刻胶层,经过曝光、显影和刻蚀,对所述透明电极层作图形化,在所述半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极;去除所述第一光刻胶层;在所述半绝缘衬底和所述透明电极上旋涂第二光刻胶层,经过曝光和显影,对所述第二光刻胶层作图形化,露出需要形成金属电极的区域;在所述金属电极的区域形成所述金属电极,所述金属电极与所述透明电极分别相接触而与所述半绝缘衬底隔开;去除所述第二光刻胶层,形成所述光电导开关。
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