[发明专利]高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法有效
申请号: | 201110281114.4 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN103022220A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 黄维;常少辉;刘学超;王乐星;庄击勇;陈辉;施尔畏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/08;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法,包括步骤:提供半绝缘衬底,在其上形成透明电极层;在透明电极层上旋涂光刻胶层,对透明电极层作图形化,在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极;在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层,对第二光刻胶层作图形化,露出需要形成金属电极的区域;形成金属电极,其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开;去除第二光刻胶层。相应地,本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下,增加了开关的电流密度容量,减小了场强集中,从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时,还具有较低的导通电阻。 | ||
搜索关键词: | 耐压 通电 电导 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法,包括步骤:提供半绝缘衬底,在其上形成透明电极层;在所述透明电极层上旋涂第一光刻胶层,经过曝光、显影和刻蚀,对所述透明电极层作图形化,在所述半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极;去除所述第一光刻胶层;在所述半绝缘衬底和所述透明电极上旋涂第二光刻胶层,经过曝光和显影,对所述第二光刻胶层作图形化,露出需要形成金属电极的区域;在所述金属电极的区域形成所述金属电极,所述金属电极与所述透明电极分别相接触而与所述半绝缘衬底隔开;去除所述第二光刻胶层,形成所述光电导开关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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