[发明专利]一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法无效
| 申请号： | 201110281242.9 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102289015A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法，包括：将硅片制作成掩模；在该掩模正面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第一光刻胶图形；在该第一光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层，并用丙酮去除光刻胶线条，形成第一掩模板；将硅片制作成基底；在该基底上旋涂一层光刻胶，将该第一掩模板倒扣于该基底上，使用X射线进行曝光，在该基底表面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第二光刻胶图形；在该第二光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层，形成第一基底；将该第一基底正面中心部分的金层制作成镂空无支撑的图形结构；在该第一基底的正面蒸发金，增加该镂空无支撑的图形结构中光栅线条的厚度，完成器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 大高宽 射线 衍射 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法，其特征在于，该方法包括：将硅片制作成掩模(A)；在该掩模(A)正面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第一光刻胶图形；在该第一光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层，并用丙酮去除光刻胶线条，形成第一掩模板；将硅片制作成基底(B)；在该基底(B)上旋涂一层光刻胶，烘干，将该第一掩模板倒扣于该基底(B)上，使用X射线进行曝光，移除该第一掩模板，显影，在该基底(B)表面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第二光刻胶图形；在该第二光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层，并用丙酮去除光刻胶线条，形成第一基底；将该第一基底正面中心部分的金层制作成镂空无支撑的图形结构；在该第一基底的正面蒸发金，增加该镂空无支撑的图形结构中光栅线条的厚度，满足光栅线条高宽比要求，完成器件的制作。
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