[发明专利]基板处理方法和基板处理设备有效
申请号: | 201110281390.0 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN102446737A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 宇井明生;林久贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 杨暄 |
地址: | 日本国东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段,施加浮动电位。另外,设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种使用基板处理设备的基板处理方法,其特征在于,包括:第一步骤,施加来自包括在所述设备中的脉冲电源的负电压脉冲;和第二步骤,对于所述负电压脉冲和在所述负电压脉冲之后的来自所述脉冲电源的正电压脉冲之间的时段,施加浮动电位,其中所述设备包括:室;第一电极,被设置在所述室内;第二电极,被设置成所述第二电极面向所述第一电极以保持基板;RF电源,将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到所述第二电极;和所述脉冲电源,将具有所述RF电压的电压波形重复地施加到所述第二电极,所述电压波形包括负电压脉冲和正电压脉冲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造