[发明专利]垂直共振腔面射型激光元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110281423.1 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102403654A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈柏翰;吴承儒;潘金山 | 申请（专利权）人： | 光环科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种垂直共振腔面射型激光元件及其制作方法，该方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一外延叠层，且该外延叠层包含有一高铝含量层；在该外延叠层上形成一离子注入屏蔽，该离子注入屏蔽具有一环状孔隙；通过该环状孔隙对该外延叠层进行离子注入，以于该高铝含量层的上方形成一环状离子注入区；在该离子注入屏蔽上形成一蚀刻屏蔽，藉以遮蔽该离子注入屏蔽的环状孔隙；通过该离子注入屏蔽及该蚀刻屏蔽对该外延叠层进行蚀刻，以形成一岛状平台；以及对该高铝含量层进行氧化以形成一环状氧化区。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 共振 腔面射型 激光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直共振腔面射型激光元件的制作方法，其特征在于，包含下列步骤：(A)提供一基板；(B)于该基板上形成一外延叠层，且该外延叠层包含有一高铝含量层；(C)在该外延叠层上形成一离子注入屏蔽，该离子注入屏蔽具有一环状孔隙；(D)通过该环状孔隙对该外延叠层进行离子注入，以于该高铝含量层的上方形成一环状离子注入区；(E)在该离子注入屏蔽上形成一蚀刻屏蔽，藉以遮蔽该离子注入屏蔽的环状孔隙；(F)通过该离子注入屏蔽及该蚀刻屏蔽对该外延叠层进行蚀刻，以形成一岛状平台；以及(G)对该高铝含量层进行氧化以形成一环状氧化区。
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