[发明专利]利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110281464.0 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021822A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨能辉;林俊荣 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 韩蕾 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法，其是将氧化铝锌靶材于氩气及硫化氢气体中溅镀于一可供制作太阳能电池的具有铜铟镓硒层的基材上，以生成ZnO1-xSx薄膜，作为缓冲层；再将氧化铝锌靶材于氩气及氧气中溅镀于该缓冲层上，以生成高阻值的氧化铝锌薄膜，作为透光层；再将氧化铝锌靶材直接溅镀于透光层上后，以生成氧化铝锌薄膜，作为电极导电层。本发明仅需利用一种氧化铝锌靶材于同一反应腔体中，于不同气体下溅镀，即可于一太阳能电池的基材上生成不同成分的薄膜作为缓冲层、透光层及导电层，而应用于太阳能电池的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化铝 锌靶材 制备 多层 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法，其包含：将氧化铝锌靶材于氩气及硫化氢气体的反应腔体中溅镀于一基材上，以生成ZnO1‑xSx薄膜；再将氧化铝锌靶材于氩气及氧气中溅镀于该ZnO1‑xSx薄膜上，以生成高阻值氧化铝锌薄膜；再将氧化铝锌靶材于氩气下直接溅镀于该高阻值氧化锌薄膜后，以生成氧化铝锌薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
