[发明专利]基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法，其包括玻璃基板、栅极、单一氧化绝缘层、沟道层、源极和漏极的制备过程；栅极位于玻璃基板之上，单一氧化绝缘层覆盖在栅极之上，沟道层位于绝缘层之上，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔。其中单一氧化绝缘层采用阳极氧化的方法制备，沟道层的材料为掺杂氧化锌半导体。该薄膜晶体管具有制备成本及温度低、阈值电压较低、载流子迁移率较高以及开关比高等优点。

主权项

基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包含如下步骤：(1)栅极基片的制备在玻璃基板上通过溅射的方法制备栅极，该栅极的厚度为100nm～500nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到栅极基片；(2)单一氧化绝缘层的制备将所制备的栅极基片放入电解质溶液中通电后在栅极表面形成一层氧化层作为单一氧化绝缘层，该单一氧化绝缘层的厚度为100nm～300nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到单一氧化绝缘层；(3)沟道层的制备在单一氧化绝缘层上面通过溅射的方法制备沟道层，该沟道层的厚度为20nm～100nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到沟道层；(4)漏极和源极的制备在沟道层上面通过溅射的方法制备漏极和源极，该漏极和源极的厚度分别为100nm～500nm，通过掩模、光刻或者剥起的方法图形化，得到漏极和源极。