[发明专利]利用烧结后锆钛酸铅压电陶瓷废片制备压电陶瓷的方法无效

专利信息
申请号: 201110281966.3 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN102503421A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 孙清池;余方云;马卫兵;孙惠;胡欣媛 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/491 分类号: C04B35/491;C04B35/622;B09B3/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 曹玉平
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种利用烧结后的PZT压电陶瓷废片低成本制备较高性能的PZT系压电陶瓷的方法,将烧结后的PZT系压电陶瓷片中的不合格品如有裂纹、杂质、缺陷、性能不佳的挑选出来,经过人工捣碎、研磨、再球磨、成型,造粒、排胶、压片、烧结、测试等工序,制得与原PZT系压电陶瓷性能相当的新制品,即d33=383~393pC/N,Kp=0.59~0.61,εr=1772~1889,tgδ=1.70~1.74%,Qm=72~74。应用本发明可有效地回收利用压电陶瓷废片及低成本地制备性能较佳的压电陶瓷,具有一定的社会及经济效益。
搜索关键词: 利用 烧结 后锆钛酸铅 压电 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种利用烧结后锆钛酸铅压电陶瓷废片制备压电陶瓷的方法,具有如下步骤:(1)成型及排塑将压电陶瓷废片人工粉碎,过40#筛,再球磨4h、烘干,外加重量百分比为7wt%的聚乙烯醇水溶液进行造粒,过筛,于300Mpa压强下压制成型为坯体;再以3℃/min的速率将坯体升温至200℃,以1.5℃/min速率从200℃升至400℃,在400℃保温30min后,以5℃/min的速率升至650℃并保温10min,排出有机物;(2)烧结将步骤(1)排出有机物的坯体采用锆钛酸铅粉料埋烧,以6℃/min速率升温至1210‑1250℃,保温2h,随炉冷却,制成压电陶瓷;(3)烧银将步骤(2)烧结好的压电陶瓷片打磨至厚度为0.9~1.1mm,采用丝网印刷工艺在其上、下表面印刷银浆,置于加热炉中,升温至735℃并保温10min,自然冷却至室温;(4)极化将步骤(3)的烧银制品,置于80℃的硅油中,施加3KV/mm的直流电场,极化15min,再将施加电场状态的制品放入室温的硅油中急冷,然后去除电场;(5)测试压电性能将步骤(4)极化处理的压电陶瓷片,于室温下静置24h后测试其压电性能。
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