[发明专利]一种沈积法成长II-VI 族硒化锌碲ZnSeTe

摘要

本发明系提出一种探讨以分子束沈积法成长II-VI族硒化锌碲(ZnSeTe)薄膜藉以取代原本担任CuInSe2薄膜太阳能电池中透光层角色的硫化镉(CdS)。而在组件结构中此透光层的基板为CuInSe2薄膜，藉由调整Te加入ZnSe的量形成ZnSe1-xTex薄膜让此薄膜与基板完全匹配。发明目标为本发明尝试以蒸镀的方式来成长高质量的ZnSe薄膜，用来取代原本担任透光层角色的CdS。ZnSe的基本特性比起同为II-VI族的CdS与CuInSe2相互搭配起来应当会更为契合。

主权项

CuInSe2 薄膜太阳能电池组件结构是由多层膜结合而成，当p‑type Cu‑rich CuInSe2 薄膜成长是表面不平整的结果，则会让接续的镀膜成果一样表面不平整，因此期望藉由掺入Sb 来改善p‑type Cu‑rich CuInSe2 薄膜表面形貌使其变的平整致密，以利于后续制程，本实验将评估这项制程对太阳电池组件物性的影响。