[发明专利]SRAM单元及其制作方法有效
| 申请号： | 201110282569.8 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022039A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括：半导体层；以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面，所述第二FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面，其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：半导体层；以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面，所述第二FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面，其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
