[发明专利]在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法

摘要

本发明公开了一种在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法，多晶硅栅上形成有硅化钨和氮化硅，侧墙形成后，包括步骤：生长第一氧化层；淀积第二多晶硅层；淀积第三氧化层；对第三氧化层进行平坦化，将多晶硅栅上的氮化硅暴露出来；在多晶硅栅和源漏区中同时进行源漏离子注入；去除第三氧化层、第二多晶硅和第一氧化层；对注入离子进行热退火激活。本发明能使杂质离子同时注入到顶部形成有硅化钨和氮化硅的多晶硅栅和源漏区中，同时能避免源漏区中注入的结深太深。

主权项

一种在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法，多晶硅栅上形成有硅化钨和氮化硅，其特征在于：在硅衬底上形成了所述多晶硅栅、并在所述多晶硅栅上形成了所述硅化钨和所述氮化硅、并在所述多晶硅栅的侧壁形成了侧墙后，采用如下步骤对所述多晶硅栅进行离子注入：步骤一、在所述硅衬底上生长第一氧化层，所述第一氧化层将所述多晶硅栅上的所述氮化硅、所述多晶硅栅的侧壁的所述侧墙以及所述多晶硅栅两侧的源漏区的表面都覆盖；所述第一氧化层的厚度小于所述多晶硅栅的厚度；步骤二、在所述第一氧化层上淀积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层和所述栅氧化层的总厚度小于所述多晶硅栅的厚度；步骤三、在所述第二多晶硅层上淀积第三氧化层，所述第一氧化层，第二多晶硅和第三氧化层的总厚度大于所述多晶硅栅、所述硅化钨和所述氮化硅的总厚度；步骤四、采用化学机械研磨的方法对所述第三氧化层进行平坦化，将所述多晶硅栅上的所述氮化硅暴露出来；所述源漏区上的所述第三氧化层的顶面和所述氮化硅顶面相平；步骤五、在所述多晶硅栅和所述源漏区中同时进行源漏离子注入；该源漏离子注入的能量满足注入离子能够注入到所述多晶硅栅中但是不能穿透所述多晶硅栅底部的栅氧化层；由于所述硅化钨的阻挡能力比氧化硅强，部分离子会同时注入到所述源漏区中，形成晶体管的源漏；步骤六、去除所述第三氧化层、所述第二多晶硅和所述第一氧化层； 进行热退火，将所述源漏和所述多晶硅栅中的注入离子激活。