[发明专利]用等离子体提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法有效

专利信息
申请号: 201110283357.1 申请日: 2011-09-22
公开(公告)号: CN102382648A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 陆启飞;蔡毅;王达健;仇坤;王鹏;于文慧 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79;C23C14/34;C23C14/18
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市南*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种用等离子体提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,采用金属表面等离子体效应来实现,即采用发射蓝紫光的光源,蓝紫光辐照金属薄膜产生表面等离子体效应,与荧光体的发射光子相互作用,使荧光体发射的光合作用光谱强度增强,步骤如下:1)将玻璃基底放入溅射腔中,对金属靶材进行溅射沉积,然后在氮气中进行热处理,制得岛状的金属纳米薄膜;2)将LED荧光体分散在分散剂中形成荧光体溶液,再将其旋涂在置于匀胶机上的制备了金属纳米膜的玻璃基底上,制得荧光体/Ag的发光体系。本发明的优点是:工艺简单、成本低廉,可同时增强该荧光体的红蓝双光,而且发光的增强比例可通过金属的溅射时间来控制;易于实施,有利于推广应用。
搜索关键词: 等离子体 提高 led 荧光 光合作用 光谱 强度 方法
【主权项】:
一种用等离子体提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,其特征在于:为采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法。
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