[发明专利]双台阶结构闸电极及相应的薄膜场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种双台阶结构闸电极的制作方法，使用半透性光刻板对光阻层进行图形化使得光阻层两侧的厚度比光阻层中间的厚度薄，随后通过两次湿法刻蚀实现双台阶结构闸电极的制作。本发明还涉及一种薄膜场效应晶体管的制作方法。本发明双台阶结构闸电极及相应的薄膜场效应晶体管的制作方法采用半透性光刻板光刻后通过两次湿法刻蚀制作闸电极解决了现有技术的双台阶结构闸电极制作成本高以及制作难度大的技术问题。

主权项

一种双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，包括步骤：S10、在基板上依次沉积第一金属层、第二金属层以及光阻层；S20、使用半透性光刻板对所述光阻层进行图形化使得所述光阻层两侧的厚度比所述光阻层中间的厚度薄，所述光阻层的中间较厚部分的宽度为第一宽度，所述光阻层的宽度为第二宽度；S30、进行湿法刻蚀使所述第一金属层和所述第二金属层一齐形成单台阶状结构；S40、通过光阻灰化将所述光阻层两侧较薄的部分去除；S50、进行湿法刻蚀使所述第二金属层的宽度减少到所述第一宽度；S60、对所述光阻层进行剥离处理。