[发明专利]硅基薄膜太阳能电池制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 201110283516.8 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103022268A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 胡兵 | 申请（专利权）人： | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基薄膜太阳能电池制造方法及其制造装置，所述制造方法包括：提供基板，所述基板上包括透明电极层；提供一化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括第一处理腔；将所述基板传输至第一处理腔中，在所述透明电极层上形成P型半导体层；将包括P型半导体层的基板从所述第一处理腔中取出，对所述第一处理腔进行清洗；将包括P型半导体层的基板传输至第一处理腔中，在所述P型半导体层上形成本征半导体层；在所述本征半导体层上形成N型半导体层。所述制造装置包括：加载腔、第一处理腔、包括搬运机械手的真空传输腔和控制模块。本发明可以低成本且高效地消除形成P型半导体层时的残留物对本征半导体层的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种硅基薄膜太阳能电池制造方法，包括：提供基板，所述基板上包括透明电极层；提供一化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括第一处理腔；将所述基板传输至第一处理腔中，在所述透明电极层上形成P型半导体层；将包括P型半导体层的基板从所述第一处理腔中取出，对所述第一处理腔进行清洗；将包括P型半导体层的基板传输至第一处理腔中，在所述P型半导体层上形成本征半导体层；在所述本征半导体层上形成N型半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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