[发明专利]用金刚石镶嵌法在铜基底上生长强附着金刚石薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110283630.0 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102337514A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈学康;王兰喜;吴敢;王晓毅;尚凯文;杨建平;曹生珠;王瑞;韦波 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;B22F3/02 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 李琪 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用金刚石镶嵌法在铜基底上生长强附着金刚石薄膜的方法，将体积比1︰1～5的铜粉和金刚石粉混合均匀，形成混合粉体，然后，采用现有冷压方法将该混合粉体制成金刚石/铜复合材料基板；再将制成的金刚石/铜复合材料基板置于化学气相沉积设备中，采用现有沉积方法在该复合材料基板上生长强附着金刚石薄膜。采用本方法生长的金刚石薄膜与基底具有良好的机械结合，能够有效防止铜基金刚石膜在化学气相沉积过程中或沉积结束后冷却过程中出现的破裂脱落现象，具有良好的附着性能以及高的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 镶嵌 基底 生长 附着 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用金刚石镶嵌法在铜基底上生长强附着金刚石薄膜的方法，其特征在于，将铜粉和金刚石粉混合均匀，然后，采用现有冷压方法压制成金刚石/铜复合材料基板；再将制成的金刚石/铜复合材料基板置于化学气相沉积设备中，采用现有沉积方法在该复合材料基板上生长强附着金刚石薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
