[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201110283679.6 申请日: 2002-04-26
公开(公告)号: CN102446488A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 浅见宗广;长尾祥;棚田好文 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;H03K19/017
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;朱海煜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种有源矩阵液晶显示器件,包括:按矩阵布置的多个象素,其中,所述多个象素中之一包含第五薄膜晶体管;以及电连接到所述第五薄膜晶体管的栅极的驱动电路,其中,所述驱动电路包括:具有电连接到第一端子的第一杂质区的第一薄膜晶体管;具有电连接到第二端子的第一杂质区的第二薄膜晶体管;具有电连接到第三端子的第一杂质区的第三薄膜晶体管;具有电连接到第四端子的第一杂质区的第四薄膜晶体管;和设有第一恒定电位的第一电源线,其中:所述第一到第四薄膜晶体管具有相同的导电类型,所述第一薄膜晶体管的第二杂质区和所述第二薄膜晶体管的第二杂质区电连接到第五端子,所述第三薄膜晶体管的第二杂质区和所述第四薄膜晶体管的第二杂质区电连接到所述第一薄膜晶体管的栅极电极,所述第二薄膜晶体管的栅极电极和所述第四薄膜晶体管的栅极电极电连接到第六端子,所述第三薄膜晶体管的栅极电极电连接到所述第三薄膜晶体管的所述第一杂质区,以及所述第一端子电连接到所述第一电源线。
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