[发明专利]调整PECVD气流出口位置以改善大面积下膜层均匀度

摘要

本发明目的在调整PECVD气流出口位置以改善大面积下膜层均匀度。其系统包含入口端、加热抽真空腔、P型半导体薄膜制程腔、I型半导体薄膜制程腔、N型半导体膜膜制程腔、降温破真空腔及出口端，在每个腔体内都设有传送轮轴及真空pump，且制程腔内部则都有加热装置、Showerhead气流孔、自动压力控制器APC及RF电极，以便进行镀膜制程。当TCO玻璃由入口端传送进入到加热抽真空后，当传送P型半导体薄膜制程腔时，将此发明把气流出口位置调整至离pump端较远处，使其气体从showerhead开始扩散时，气体能够有较多时间在TCO玻璃上，此时开始电浆开启镀上P型半导体，且I型与N型半导体也是以同样的方式，利用此发明的设计镀上I型及N型硅薄膜，完成后再破真空至大气，且传入出口端即可。此种发明可以扩展卧式PECVD在大面积尺寸下仍然能够可以有较佳的镀膜均匀度，藉此以提升膜层均匀度，且也可增加太阳能硅薄膜电池效率。

主权项

一种调整PECVD气流出口位置以改善大面积下膜层均匀度的方法，其系统主要包含入口端、加热抽真空腔、P型半导体薄膜制程腔、I型半导体薄膜制程腔、N型半导体膜膜制程腔、降温破真空腔及出口端，在每个腔体内都设有传送轮轴及真空pump，且制程腔内部则都有加热装置、Showerhead气流孔、自动压力控制器APC及RF电极，以便进行镀膜制程，当TCO玻璃由入口端传送进入到加热抽真空后，当传送P型半导体薄膜制程腔时，将此发明把气流出口位置调整至离pump端较远处，使其气体从showerhead开始扩散时，气体能够有较多时间在TCO玻璃上，此时开始电浆开启镀上P型半导体，且I型与N型半导体也是以同样的方式，利用此发明的设计镀上I型及N型硅薄膜，完成后再破真空至大气，且传入出口端即可；此种发明可以扩展卧式PECVD在大面积尺寸下仍然能够可以有较佳的镀膜均匀度，藉由此方法可以提升膜层均匀度，且也可增加太阳能硅薄膜电池效率。