[发明专利]防止钝化层过刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201110284796.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103021840A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了防止钝化层过刻蚀的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上制备两层致密性不同的钝化层，靠近衬底侧的钝化层为致密钝化层，远离衬底侧的钝化层为疏松钝化层；步骤B，在钝化层上旋涂光刻胶，按照预设的元件模板对光刻胶进行曝光和显影；步骤C，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对疏松钝化层进行干法刻蚀；步骤D，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对致密钝化层进行湿法刻蚀。本发明通过生长两层致密性不同的SiO2层，结合湿法刻蚀和干法刻蚀两者的优点分别对上述两层致密性不同的SiO2层分别进行刻蚀，不仅避免了底层SiC的过刻蚀，并且保证了刻蚀质量。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 钝化 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种防止钝化层过刻蚀的方法，其特征在于，包括：在钝化层制备阶段：步骤A，在衬底上制备两层致密性不同的钝化层，靠近衬底侧的钝化层为致密钝化层，远离衬底侧的钝化层为疏松钝化层；在钝化层刻蚀阶段：步骤B，在所述钝化层上旋涂光刻胶，按照预设的元件模板对所述光刻胶进行曝光和显影；步骤C，以所述衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对所述疏松钝化层进行干法刻蚀；步骤D，以所述衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对所述致密钝化层进行湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
