[发明专利]发光二极管的封装方法有效
| 申请号： | 201110285443.6 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103022275A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 胡必强;许时渊 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装方法，其包括步骤：提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架；及将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。与先前技术相比，该种方法先将发光二极管晶粒在高温环境下通过共晶结合固定在导电架上，然后再形成其他封装结构，从而避免高温环境损坏其他封装结构，进而提升发光二极管封装体的品质，提高制程良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装方法，其包括步骤：提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架；及将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。
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