[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一和第二相对表面的衬底。多个导电通孔被形成为部分地穿过衬底的第一表面。第一导电层形成在衬底的第一表面上，并电连接到导电通孔。第一半导体管芯被安装到衬底的第一表面上。第一半导体管芯和衬底被安装到载体。密封剂被沉积在第一半导体管芯、衬底和载体上。衬底的第二表面的一部分被除去以暴露导电通孔。互连结构被形成在衬底的第二表面上，与第一半导体管芯相对。第二半导体管芯可以被堆叠在第一半导体管芯上。第二半导体管芯可以被安装到衬底的第一表面上，与第一半导体管芯相邻。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一和第二相对表面的衬底；形成多个部分地穿过衬底的第一表面的导电通孔；在衬底的第一表面上形成电连接到导电通孔的第一导电层；在衬底的第一表面上安装电连接到第一导电层的第一半导体管芯；提供载体；将第一半导体管芯和衬底安装到载体；在第一半导体管芯、衬底、和载体上沉积密封剂；除去衬底的第二表面的一部分以暴露导电通孔；以及在衬底的表面上形成与第一半导体管芯相对的互连结构。