[发明专利]半导体表面粗糙化方法无效
| 申请号： | 201110285551.3 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569548A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 高仲山 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体表面粗糙化方法，此方法是先提供基板，在基板上依序形成第一型掺杂半导体层、发光层、将气压范围定为300至700毫巴(mbar)，预定温度范围定为摄氏850至1200度，在发光表面上沉积形成第二型掺杂半导体层。之后，于此预定气压范围与预定温度范围内，通入蚀刻气体与钝化气体至第二型掺杂半导体层表面达预定时间10至120分钟，以完成第二型掺杂半导体层表面的凹凸构造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体表面粗糙化方法，其包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一型掺杂半导体层；于该第一型掺杂半导体层表面上形成一发光层；于一预定气压范围与一预定温度范围内，在该发光层表面沉积形成一第二型掺杂半导体层；以及于该预定气压范围与该预定温度范围内，通入一蚀刻气体与一钝化气体至该第二型掺杂半导体层表面达一预定时间，以完成该第二型掺杂半导体层表面的至少一凹凸构造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆达电子股份有限公司，未经隆达电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110285551.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于自行车换档机构用控制线缆的致动装置
- 下一篇：收纳库
