[发明专利]形成复合功能材料结构的方法无效
| 申请号： | 201110285648.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102347219A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张轩雄;杨帆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成复合功能材料结构的方法。该方法包括：步骤A，高能量离子注入于施主晶片表层，在离子注入投影射程位置形成脆弱区，其中，离子注入的能量介于60KeV至500KeV之间；步骤B，将施主晶片和衬底晶片进行键合，形成包括施主晶片和衬底晶片的复合结构；步骤C，对键合后形成的复合结构进行退火处理，使得施主晶片在脆弱区发生剥离，从而在衬底晶片表面附着施主晶片薄层结构，形成复合功能材料结构。本发明采用高能量的离子注入，控制投影射程在距离表面更远的位置，利用晶片表层的剥落，即使在存在少数键合缺陷的情况下，也能够得到更好的转移薄层，从而提高剥离的效率和转移层的质量、性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 复合 功能 材料 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成复合功能材料结构的方法，其特征在于，包括：步骤A，离子注入于施主晶片表层，在离子注入投影射程位置形成脆弱区，其中，所述离子注入的能量介于60KeV至500KeV之间；步骤B，将所述施主晶片和衬底晶片进行键合，形成包括施主晶片和衬底晶片的复合结构；步骤C，对键合后形成的复合结构进行退火处理，使得施主晶片在脆弱区发生剥离，从而在衬底晶片表面附着施主晶片薄层结构，形成复合功能材料结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110285648.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无源电池充电装置及其制造方法
- 下一篇：汉字学习系统及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
