[发明专利]一种氧化锆基稀土上转化发光薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110285735.X | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102391866A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 潘梅;苏成勇;王海平;王子;严诚;魏世超;李康;曾敏茹 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锆基稀土上转化发光薄膜材料及其制备方法。用溶胶-凝胶法制备的氧化锆薄膜作为基质材料，通过敏化剂和上转换发光中心的共掺杂，实现高效的上转化发光薄膜材料。其使用的基质材料具有高的化学和热稳定性及光学透明性、较宽的禁带宽度和较低的声子能量。通过溶液掺杂手段，易于实现稀土离子间的比例调控，从而便于上转换发光波段的调节。制备过程中的前驱体溶胶稳定性好，可以长期存放，多次使用。同时，得到的薄膜材料易于加工并与器件进行结合，利于材料的器件化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锆 稀土 转化 发光 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锆基稀土上转化发光薄膜材料，其特征在于：以溶胶‑凝胶法制备的氧化锆薄膜作为基质，以Yb（III）或Y（III）稀土离子作为敏化剂，以Er（III）、Tm（III）、Ho（III）、Pr（III）或Ce（III）稀土离子作为上转换发光中心，在薄膜制备过程中进行共掺杂。
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