[发明专利]一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法无效
| 申请号： | 201110285908.8 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102306623A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑高林;黄少华;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其工艺包括：首先利用退火热处理在材料层表面上形成纳米级金属颗粒，接着在金属颗粒的表面上蒸镀一层SiO2薄膜，采用化学蚀刻和超声共同作用，利用金属颗粒与SiO2粘附性的差异，蚀刻金属颗粒的同时使得包裹金属颗粒的SiO2层脱落，在所述材料层的表面上形成纳米级二氧化硅多孔状图形掩膜。本发明一方面利用金属层的厚度和退火工艺可以很好的控制金属颗粒的尺寸从而可获得不同尺寸的SiO2孔状掩膜，另一方面有效地避免了采用干法蚀刻可能造成的金属污染，同时剥离后的图形跟金属颗粒的形状几乎一致，图形掩膜的制作工艺相对比较稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 二氧化硅 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其包括如下步骤：1）提供一待在其上形成二氧化硅图形掩膜的材料层；2）在所述材料层的表面上蒸镀一层金属薄膜；3）退火热处理，在材料层表面上形成随机均匀分布的纳米级金属颗粒；4）在镀有纳米金属颗粒的材料层的表面上沉积一层SiO2薄膜；5）采用化学蚀刻和超声共同作用,蚀刻金属颗粒的同时使得包裹金属颗粒的SiO2层脱落，在所述材料层的表面上形成纳米级二氧化硅多孔状图形掩膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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