[发明专利]半导体组件及电致发光组件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201110286451.2 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102339835A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 杨朝舜;谢信弘 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体组件,设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极,以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上,以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
搜索关键词: 半导体 组件 电致发光 及其 制作方法
【主权项】:
一种半导体组件,设置于一基板上,该基板包括一第一区域与一第二区域,该半导体组件包括:一第一信道层,位于该第一区域的该基板上;一图案化掺杂层,包括一掺杂栅极以及两个接触电极,该掺杂栅极位于该第二区域的该基板上,所述接触电极分别连接该第一通道层的两侧;一栅极介电层,覆盖该第一信道层与该图案化掺杂层;一导电栅极,位于该第一区域的该栅极介电层上;一第二信道层,位于该第二区域的该栅极介电层上;一第一电极与一第二电极,分别与各该接触电极电性连接;以及一第三电极与一第四电极,分别电性连接该第二通道层的两侧。
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