[发明专利]半导体组件及电致发光组件及其制作方法在审
申请号: | 201110286451.2 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102339835A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 杨朝舜;谢信弘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体组件,设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极,以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上,以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。 | ||
搜索关键词: | 半导体 组件 电致发光 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体组件,设置于一基板上,该基板包括一第一区域与一第二区域,该半导体组件包括:一第一信道层,位于该第一区域的该基板上;一图案化掺杂层,包括一掺杂栅极以及两个接触电极,该掺杂栅极位于该第二区域的该基板上,所述接触电极分别连接该第一通道层的两侧;一栅极介电层,覆盖该第一信道层与该图案化掺杂层;一导电栅极,位于该第一区域的该栅极介电层上;一第二信道层,位于该第二区域的该栅极介电层上;一第一电极与一第二电极,分别与各该接触电极电性连接;以及一第三电极与一第四电极,分别电性连接该第二通道层的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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