[发明专利]具有改良噪声屏蔽的图像传感器有效

专利信息
申请号: 201110286464.X 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102403328A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 杨征;李正宇;代铁军;钱胤 申请(专利权)人: 美商豪威科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/357
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器,其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧,且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。
搜索关键词: 具有 改良 噪声 屏蔽 图像传感器
【主权项】:
一种图像传感器,其包括:具有第一侧及第二侧的器件晶片,所述器件晶片包含用于响应于入射在所述第一侧上的光而获取图像数据的像素阵列;具有第一侧及第二侧的载体晶片,其中所述载体晶片的所述第一侧接合至所述器件晶片的所述第二侧;信号线,所述信号线邻近于所述载体晶片的所述第二侧而安置;金属噪声屏蔽层,其在所述像素阵列之下且在所述器件晶片或所述载体晶片的至少一者之内且在所述信号线与所述像素阵列之间延伸,用以屏蔽所述像素阵列使其免受自所述信号线发出的噪声;以及穿硅通孔(“TSV”),其自所述载体晶片的所述第二侧延伸,穿过所述载体晶片与所述金属噪声屏蔽层且延伸至所述器件晶片中以便耦合至所述器件晶片内的电路。
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