[发明专利]一种n-氧化锌/p-硅纳米线三维异质结太阳能转换装置无效
申请号: | 201110287050.9 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN102368506A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 黄靖云;刘国祥;叶志镇;何海平 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0224;B82Y30/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种n-氧化锌/p-硅纳米线三维异质结太阳能转换装置。现有的装置能量利用效率低。本发明中的Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、p型硅基底层和铝金属膜背电极层从上至下依次设置,透明铝掺杂氧化锌导电薄膜内设置有p型硅纳米线阵列,p型硅纳米线阵列的一端与p型硅基底层连接,p型硅纳米线阵列包括多个平行设置的p型硅纳米线,p型硅纳米线包覆有本征氧化锌层。本发明充分利用了纳米线阵列所具有的大的表面积,对光吸收效率高这一特点,并且铝掺杂氧化锌透明导电薄膜作为一种对可见光高透过率的导电材料,不仅可以作为窗口材料,同时由ZnO和Si构成的异质结可以提高太阳光谱中各频率波段的利用效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 纳米 三维 异质结 太阳能 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种n‑氧化锌/p‑硅纳米线三维异质结太阳能转换装置,包括Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、本征氧化锌层、p型硅纳米线阵列、p型硅基底层和铝金属膜背电极层,其特征在于:所述的Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、p型硅基底层和铝金属膜背电极层从上至下依次设置,所述的透明铝掺杂氧化锌导电薄膜内设置有p型硅纳米线阵列,p型硅纳米线阵列的一端与p型硅基底层连接,所述的p型硅纳米线阵列包括多个平行设置的p型硅纳米线,p型硅纳米线包覆有本征氧化锌层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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