[发明专利]一种n-氧化锌/p-硅纳米线三维异质结太阳能转换装置无效

专利信息
申请号: 201110287050.9 申请日: 2011-09-26
公开(公告)号: CN102368506A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 黄靖云;刘国祥;叶志镇;何海平 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0224;B82Y30/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种n-氧化锌/p-硅纳米线三维异质结太阳能转换装置。现有的装置能量利用效率低。本发明中的Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、p型硅基底层和铝金属膜背电极层从上至下依次设置,透明铝掺杂氧化锌导电薄膜内设置有p型硅纳米线阵列,p型硅纳米线阵列的一端与p型硅基底层连接,p型硅纳米线阵列包括多个平行设置的p型硅纳米线,p型硅纳米线包覆有本征氧化锌层。本发明充分利用了纳米线阵列所具有的大的表面积,对光吸收效率高这一特点,并且铝掺杂氧化锌透明导电薄膜作为一种对可见光高透过率的导电材料,不仅可以作为窗口材料,同时由ZnO和Si构成的异质结可以提高太阳光谱中各频率波段的利用效率。
搜索关键词: 一种 氧化锌 纳米 三维 异质结 太阳能 转换 装置
【主权项】:
一种n‑氧化锌/p‑硅纳米线三维异质结太阳能转换装置,包括Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、本征氧化锌层、p型硅纳米线阵列、p型硅基底层和铝金属膜背电极层,其特征在于:所述的Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、p型硅基底层和铝金属膜背电极层从上至下依次设置,所述的透明铝掺杂氧化锌导电薄膜内设置有p型硅纳米线阵列,p型硅纳米线阵列的一端与p型硅基底层连接,所述的p型硅纳米线阵列包括多个平行设置的p型硅纳米线,p型硅纳米线包覆有本征氧化锌层。
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